high k metal gate製程
...製程技術以採用高介電層/金屬閘極(High-kMetalGate,HKMG)的後閘極(Gate-last)技術為主。相較於前閘極(Gate-first)技術,後閘極技術具備較低的漏電流以及能 ...,2007年12月24日—而其中已導入的high-k/metalgate材料製程,可以控制金屬氧化物半導體場效電...
...製程技術以採用高介電層/金屬閘極(High-kMetalGate,HKMG)的後閘極(Gate-last)技術為主。相較於前閘極(Gate-first)技術,後閘極技術具備較低的漏電流以及能 ...
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28奈米製程
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32奈米以下IC半導體性能提昇的重要推手
2007年12月24日 — 而其中已導入的high-k/metal gate材料製程,可以控制金屬氧化物半導體場效電晶體(MOS FET)之閘極(gate)電壓,克服了阻礙high-k /metal gate實用化的 ...
High
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簡化的閘極優先高介電常數金屬閘極製造流程
... metal gates. US7863123B2 * 2009-01-19 2011-01-04 International Business Machines Corporation Direct contact between high-κ/metal gate and wiring process flow.
金氧半元件金屬閘極和高介電係數介電層之製程整合研究
由 張新君 著作 · 2006 — 金氧半元件金屬閘極和高介電係數介電層之製程整合研究. Integration of Metal Gate and High-k Gate Dielectric for Advanced MOS Devices. 張新君(Hsin-Chun Chang).
高介電係數閘極介層技術
製程整合(Gate Structure and Process. Integration)、其他相關製程 ... Damascene metal gate structure and process ... Low-K spacer/high-K gate dielectric supress ...
高介電常數金屬閘極(High
2019年8月5日 — 高介電常數金屬閘極(High-k Metal Gate, HKMG)和鰭式場效電晶體(FinFET)的結構與成份分析 · 市售IC 的橫截面TEM 影像 · (a) 40 nm 平面式HKMG · (b) 電 ...